Вернуться

Номер

14.575.21.0019

Тема

Разработка СВЧ транзистора с шириной затвора не менее 2 мм на основе наногетероструктур AlN/GaN на подложках кремния и карбида кремния

Состояние

Исполнен

Шифр заявки

2014-14-576-0054-050 Сведения о лоте

Организация Головной исполнитель

федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"

Руководитель работ

Неволин Владимир Кириллович

Дата подписания

17.06.2014

Дата начала работ

17.06.2014

Дата окончания работ

31.12.2015

Основное приоритетное направление

Информационно-телекоммуникационные системы

Программное мероприятие

1.2 Проведение прикладных научных исследований для развития отраслей экономики

Планируемый результат

Планируемый результат проекта
1. Методика формирования приборных гетероструктур типа AlN/GaN методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) с аммиачным источником на подложках кремния и карбида кремния.
2. Методика исследования дефектности выращиваемых гетероструктур типа AlN/GaN на подложках кремния и карбида кремния.
3. Методика контроля наноразмерных литографических операций.
4. Методики зондового, электронного и ионного исследования процессов зарождения и роста на подложках кремния и карбида кремния наноразмерных эпитаксиальных пленок.
5. Методика контроля качества омических контактов, нанесенных на гетероструктуры типа AlN/GaN на подложках кремния и карбида кремния.
6. Методика формирования протяженных металлических наноразмерных структур на поверхности эпитаксиальных гетероструктур типа AlN/GaN на подложках кремния и карбида кремния с помощью ионно-лучевой литографии с использованием полимерного резиста.
7. Экспериментальный образец транзисторной структуры на основе гетероструктур типа AlN/GaN, созданных методом МЛЭ с аммиачным источником.
8. Макет мощного транзистора для СВЧ диапазона на основе гетероструктур типа AlN/GaN на подложках кремния и карбида кремния.
9. Методика корпусирования транзисторных структур на основе гетероструктур типа AlN/GaN на подложках кремния и карбида кремния.
10. Методика экспериментальных исследований макета мощного транзистора на разработанных гетероструктурах типа AlN/GaN на подложках кремния и карбида кремния для СВЧ диапазона.
11. Методика расчета эффективного теплоотвода разрабатываемых макетов мощного СВЧ транзистора.
12. Лабораторный технологический регламент получения транзисторов на базе гетероструктур типа AlN/GaN на подложках кремния и карбида кремния, работающих в СВЧ диапазоне и имеющих ширину затвора более 2 мм.
13. Проект ТЗ на проведение ОТР по теме: Разработка технологии для новых типов монолитных интегральных схем на основе мощных СВЧ транзисторов на базе гетероструктур типа AlN/GaN на подложках карбида кремния.

Бюджет, Итого (млн.руб)

9.4 млн. руб.

на 2014 год — 4 млн. руб.
на 2015 год — 5.4 млн. руб.

Внебюджет, Итого (млн.руб)

2 млн. руб.

на 2014 год — 0.8 млн. руб.
на 2015 год — 1.2 млн. руб.

Этапы выполнения работ