Вернуться

Номер

14.579.21.0096

Тема

Разработка технологии эпитаксиального выращивания приборных полупроводниковых гетероструктур на основе InP: лазеров с пассивной синхронизацией мод и фотоприемников спектрального диапазона 1300-1550 нм

Состояние

Исполнен

Шифр заявки

2015-14-579-0014-002 Сведения о лоте

Организация Головной исполнитель

Общество с ограниченной ответственностью "Коннектор Оптикс"

Руководитель работ

Новиков Иннокентий Игоревич

Дата подписания

04.08.2015

Дата начала работ

04.08.2015

Дата окончания работ

31.12.2016

Основное приоритетное направление

Информационно-телекоммуникационные системы

Программное мероприятие

1.3 Проведение прикладных научных исследований и разработок, направленных на создание продукции и технологий

Планируемый результат

Планируемый результат проекта
1 Экспериментальные макеты гетероструктур: ФП PIN (3 штуки), лазеров ПСМ (3 штуки).
2 Технологическая документация на технологию создания полупроводниковых гетероструктур ФП PIN методом МПЭ.
3 Технологическая документация на технологию создания полупроводниковых гетероструктур лазеров ПСМ методом МПЭ.

Бюджет, Итого (млн.руб)

20 млн. руб.

на 2015 год — 12 млн. руб.
на 2016 год — 8 млн. руб.

Внебюджет, Итого (млн.руб)

18.5 млн. руб.

на 2015 год — 11.1 млн. руб.
на 2016 год — 7.4 млн. руб.

Этапы выполнения работ